| SGU20N40L |
FAI/QTC |
Дискретный, IGBT, корпус: TO-251(IPAK) |
| SGW10N60RUFD |
FAI/QTC |
Дискретный, нормированный ток КЗ, IGBT с диодом, корпус: TO-263(D2PAK) |
| SGW23N60UFD |
FAI/QTC |
Дискретный, IGBT с диодом, корпус: TO-263(D2PAK) |
| SH- |
YAGEO |
Miniature Size Aluminum Electrolytic Capacitors |
| Si2456, Si2433, Si2414, Si3015 |
SILAB |
V.90, V.34, V.32BIS ISOMODEM CHIPSET WITH INTEGRATED GLOBAL DAA |
| Si3021, Si3024, Si3025, Si3012, Si3014 |
SILAB |
3.3 V FCC/JATE DIRECT ACCESS ARRANGEMENT |
| SI3443DV |
FAI/QTC |
Одиночный/20 В/4 А/65 мОм/SSOT-6/Com |
| Si4430DY |
VISHAY |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI4532DY |
FAI/QTC |
Комплементарная пара/30 В/3,9 А/65 мОм/SO-8/Com |
| Si4830ADY |
VISHAY |
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| Si4874DY |
VISHAY |
N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET |
| Si4896DY |
VISHAY |
N-Channel 80-V (D-S) MOSFET |