| ISD4003-04MS, ISD4003-04MP |
WINBOND |
Серия микросхем для записи и воспроизведения голосовых сообщений длительностью 4, 5, 6, 8 мин. |
| ISD4004-08MS, ISD4004-16MS |
WINBOND |
Серия микросхем для записи и воспроизведения голосовых сообщений |
| ISD5116 |
WINBOND |
Серия микросхем для записи и воспроизведения голосовых сообщений |
| ISL9N302AP3 |
FAI/QTC |
Одиночный MOSFET/30 В/75 А/2 мОм/TO-220/Com |
| ISL9N302AS3ST |
FAI/QTC |
Одиночный MOSFET/30 В/75 А/2 мОм/TO-263(D2PAK)/Com |
| ISL9N303AP3 |
FAI/QTC |
Одиночный MOSFET/30 В/75 А/3 мОм/TO-220/Com |
| ISL9N303AS3 |
FAI/QTC |
Одиночный MOSFET/30 В/75 А/3 мОм/TO-262(I2PAK)/Com |
| ISL9N303AS3ST |
FAI/QTC |
Одиночный MOSFET/30 В/75 А/3 мОм/TO-263(D2PAK)/Com |
| ISL9R1560G2, ISL9R1560P2, ISL9R1560S2, ISL9R1560S3S |
FAI/QTC |
15A, 600V Stealth Diode |
| ISL9R460P2, ISL9R460S2, ISL9R460S3S |
FAI/QTC |
4A, 600V Stealth Diode |
| ISL9R860P2, ISL9R860S2, ISL9R860S3ST |
FAI/QTC |
8A, 600V Stealth Diode |
| ISL9V2040D3S |
FAI/QTC |
IGBT, 10A, 400В Логический уровень, ограничение импульсных перенапряжений, нормированная энергия лавинного пробоя, защита от электростатического разряда, корпус: TO-252(DPAK) |