АСИНХРОННЫЕ SRAM (ОЗУ) - LOW POWER (МАЛОПОТРЕБЛЯЮЩИЕ) И HIGH SPEED (ВЫСОКОСКОРОСТНЫЕ)
Система обозначений фирмы "Samsung":
| К |
6 |
Х |
Х |
Х |
Х |
Х |
Х |
Х |
Х |
- |
Х |
Х |
Х |
Х |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1. Память: K
2. Асинхронная SRAM: 6
3. Малая классификация:
E: Corner Vcc/ Vss + Fast SRAM,
F: fCMOS Cell + LPSRAM,
H: High Speed(LPSRAM),
X: High Voltage(LPSRAM),
J: BICMOS,
R: Center Vcc/Vss + Fast SRAM,
T: TFT Cell + LPSRAM,
G: fCMOS Cell+LPSRAM+Sync.Burst,
M: Mobile SRAM
4~5. Объем:
06: 64K, 08: 256K, 09: 512K, 10: 1M, 16: 16M, 20: 2M, 28: 128M, 30:3M, 32: 32M, 40: 4M, 56: 256M, 64: 64M, 80: 8M.
6~7. Организация:
04: x4, 08: x8, 16: x16, 24 : x24
8. Напряжение питания:
C: 5.0В,
Q: 3.0В(ВDDQ=1.8В),
R: 1.65В~2.2В,
S: 2.5В,
T: 2.7В~3.6В,
U: 3.0В,
V: 3.3В,
W: 2.2В~3.3В
9. Режим:
1: CS Low Active,
2: CS1, CS2 - Dual Chip Select Signal,
3: Single Chip Select with /LB,/UB(tOE),
4: Single Chip Select with /LB,/UB(tCS),
5: Dual Chip Select with /LB,/UB(tOE),
6: Dual Chip Select with /LB,/UB(tCS),
7: I/Os Control with /BYTE,
9: Multiplexed Address,
A: Mirror Chip Option,
B: Page Mode,
C: Sync. Burst
10. Поколение:
M: Первое,
A: Второе,
B: Третье,
C: Четвертое,
D: Пятое,
E: Шестое,
LJ: Седьмое,
G: Восьмое,
H: Девятое
11. -
12. Корпус:
A: TBGA(LF),
9: SOP(LF),
C: CHIP BIZ,
E: TBGA,
G: SOP,
J: SOJ,
L: TSOP1-0813.4(LF),
P: TSOP1-0820(LF),
Q: TSOP2-400R(LF),
T: TSOP,
U: TSOP2-400(LF)
13. Диапазон рабочих температур, потребляемая мощность:
A: Автомобильный, Normal;
B: Коммерческий, Low Low;
C: Коммерческий, Normal;
D: Расширенный, Low Low;
E: Расширенный, Normal;
F: Промышленный, Low Low;
I: Промышленный, Normal;
L: Коммерческий, Low;
P: Промышленный, Low;
Q: Автомобильный, Low;
R: Промышленный, Super Low
14~15. Время доступа (tAA):
10: 100нс, 12: 120нс, 20: 20нс, 25: 25нс, 35: 35нс, 45: 45нс, 55: 55нс, 70: 70нс, 85: 85нс
Высокоскоростные - 08: 8нс, 09: 9нс, 10: 10нс, 12: 12нс, 15: 15нс
Система обозначений фирмы "Alliance Semiconductor":
1. Префикс: Alliance Semiconductor
2. Тип: 7С: КМОП SRAM
3. Напряжение питания: " "(пусто): 5В, 3: 3,3В
4. Объем, организация:
164: 8Кх8, 256А: 32Кх8, 513В: 32Кх16, 1024В/1025В: 128Кх8, 1026В: 64Кх16, 4096/4096А: 512Кх8, 4098/4098А: 256Кх16
5. Время доступа (в нс): 10, 12, 15, 20
6. Корпус: J/TJ: SOJ,
T: TSOP,
ST: sTSOP
7. Диапазон рабочих температур: С: Коммерческий (0…+70°С),
I: Промышленный (-40…+85°С)
Система обозначений фирмы "Cypress Semiconductor":
1. Префикс: Cypress Semiconductor
2. Тип: 7С: КМОП SRAM, 62 - Low Power SRAM
3. Объем, организация:
a) Для Low Power SRAM - 64: 8Kx8, 256: 32Kx8, 128: 128Kx8, 138: 256Kx8, 148: 512Kx8, 158: 1024Kx8, 168: 2048Kx8, 126: 64Kx16, 127: 64Kx16, 136: 128Kx16, 137: 128Kx16, 146: 256Kx16, 147: 256Kx16, 157: 512Kx16, 167: 1024Kx16
b) Для КМОП SRAM - 167: 16Kх1, 187: 64Kх1, 197: 256Kх1, 107/1007: 1Mх1, 106/1006: 256Kх4, 147/149/150/168: 4Kх4, 164/166: 16Kх4, 192/ 194/195: 64Kх4, 1046: 1Mх4, 128: 2Kх8, 185/186: 8Kх8, 198/199/1399: 32Kх8, 109/1009/1018/1019/10191: 128Kх8, 1049: 512Kх8,1069: 2Mх8, 182: 8Kх9, 188: 32Kх9, 1020: 32Kх16, 1021/12011: 64Kх16, 1011: 128Kх16, 1041: 256Kх16, 1061: 1Mх16, 1012: 512Kх24, 1024: 128Kх24, 1062: 512Kх32
4. Потребляемая мощность, напряжение питания:
L: LOW-POWER,
LL: SUPER-LOW POWER,
V: 3.3В,
V33: 3.3В,
V30: 3.0В,
V26: 2.6В,
V25: 2.5В,
V18: 1.8В,
" "(пусто): 5В
5. Время доступа (в нс)
6. Корпус:
A/AJ: TQFP,
J: PLCC,
P: DIP,
S/V: SOIC,
Z/ZA/ZU/ZS: TSOP
7. Диапазон рабочих температур:
С: Коммерческий (0…+70°С),
I: Промышленный (-40…+85°С),
E: Автомобильный (-40°…+125°C),
M: Военный (расширенный) (-55…+125°C)